Teknologi etsa berkas ion adalah teknologi pemrosesan ultra-halus yang muncul dari tahun 70-an abad ke-20 dengan pengembangan perangkat padat searah lebar garis sub-mikron, yang menggunakan efek sputtering dari pemboman berkas ion pada permukaan padat untuk mengupas geometri yang dibutuhkan pada perangkat yang diproses.
Dibandingkan dengan pemesinan, korosi kimia, korosi plasma, sputtering plasma dan proses lainnya, etsa berkas ion memiliki karakteristik sebagai berikut:
(1) Bahan yang diproses tidak selektif, dan bahan apa pun termasuk konduktor, semikonduktor, dan isolator dapat digores.
(2) Ia memiliki kemampuan pemrosesan yang sangat halus. Ia mampu mengetsa pola alur yang sangat halus, yang berada dalam kisaran mikron dan sub-mikron, dan bahkan dapat mengukir garis sekecil 00,008 μm.
(3) Etsa memiliki arah yang baik dan resolusi tinggi. Sampelnya dibombardir secara terarah oleh berkas ion terkolimasi dalam ruang hampa, yang merupakan pengetsaan terarah yang dapat mengatasi fenomena pengeboran dan pengetsaan yang tak terhindarkan dalam pemrosesan basah kimia, dan tepi pola tergores tajam dan jelas. Resolusi tinggi. Akurasinya bisa mencapai 0.1~0.01μm, dan kekasaran permukaan lebih baik dari 0,05μm.
(4) Kemampuan proses yang fleksibel dan kemampuan pengulangan yang baik. Karena kerapatan berkas, energi, sudut datang, pergerakan atau kecepatan putaran meja benda kerja, dan parameter kerja berkas ion lainnya dapat dikontrol secara independen dan akurat dalam rentang yang cukup luas, maka mudah untuk mendapatkan kondisi pemrosesan optimal untuk sampel yang berbeda. , yang tidak hanya dapat mengontrol kemiringan dinding samping garis, tetapi juga mengontrol kedalaman alur agar berubah sesuai fungsi tertentu (kedalaman alur yang berubah sesuai fungsi tertentu disebut pembobotan kedalaman).
(5) Kerugian dari etsa berkas ion adalah adanya fenomena pengendapan ulang (re-deposition effect) pada bahan yang tergagap. Hal ini perlu diatasi dalam praktik.